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北京专升本电子电路基础模拟试题3

试卷简介
该试卷共包含50道试题,试题类型如下:
单选题 判断题 填空题
该试卷部分试题预览
  • 1、[单选题]N型半导体()。
    • A.带正电

    • B.带负电

    • C.呈中性

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  • 2、[单选题]在常温下,流过二极管的正向电流与其两端的外加电压()。
    • A.几乎无关

    • B.近似按指数规律上升

    • C.线性关系

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  • 3、[单选题]P沟道增强型MOS管的开启电压为()。
    • A.大于0

    • B.小于0

    • C.等于0

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  • 4、[单选题]采用图解法分析基本放大器的静态特性时,必须画出晶体管特性曲线和(),所求两者之交点即为Q点。
    • A.直流负载线

    • B.交流负载线

    • C.转移特性曲线

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  • 5、[单选题]某差动放大器的输入信号分别为Vs1=30mv,Vs2=40mv,其差模输入电压为()。
    • A.±10mv

    • B.±5mv

    • C.±35mv

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  • 6、[单选题]随着温度的升高,本征半导体中自由电子和空穴的变化情况是()。
    • A.自由电子数增加,空穴数不变

    • B.空穴数增加,自由电子数不变

    • C.自由电子和空穴数都增多

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  • 7、[单选题]稳压管通常工作在()状态下。
    • A.正向导通

    • B.反向截止

    • C.反向击穿

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  • 8、[单选题]场效应管漏极电流由()的漂移运动形成。
    • A.多子

    • B.少子

    • C.两种载流子

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  • 9、[单选题]影响三极管静态工作点稳定的主要原因是()。
    • A.外界干扰

    • B.温度变化

    • C.噪声

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  • 10、[单选题]为提高放大器输入电阻和稳定电路的输出电压,应引入()负反馈。
    • A.并联电压

    • B.串联电压

    • C.串联电流

    • D.并联电流

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  • 11、[单选题]相位是反映交流电变化的( )
    • A.位置

    • B.快慢

    • C.大小

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  • 12、[单选题]三相交流电源是由( )中的三相绕组提供的。
    • A.三相交流发电机

    • B.两相交流发电机

    • C.单项交流发电机

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  • 13、[单选题]触电事故表明,频率为( )Hz的电流最危险。
    • A.50~100Hz

    • B.100~200Hz

    • C.1000Hz

    • D.频率越高越危险

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  • 14、[单选题]一个40W、220V家用电器,若误接在380V上,则其消耗功率为( )。
    • A.120W

    • B.69W

    • C.23W

    • D.40W

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  • 15、[判断题]通过半导体中的电流为电子电流与空穴电流之和。( )

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  • 16、[判断题]在本征半导体中掺入少量的磷元素,可以形成N型半导体,它的多子是自由电子。( )

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