自考02314模拟电路与数字电路模拟试题1

试题数量：50道
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试卷简介

该试卷共包含50道试题，试题类型如下:

单选题

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该试卷部分试题预览

1、[单选题]单极型半导体器件是（）。
- A.二极管；
- B.双极型三极管；
- C.场效应管；
- D.稳压管。
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2、[单选题]P型半导体是在本征半导体中加入微量的（）元素构成的。
- A.三价；
- B.四价；
- C.五价；
- D.六价。
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3、[单选题]稳压二极管的正常工作状态是（）。
- A.导通状态；
- B.截止状态；
- C.反向击穿状态；
- D.任意状态。
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4、[单选题]用万用表检测某二极管时，发现其正、反电阻均约等于1KΩ，说明该二极管（）。
- A.已经击穿；
- B.完好状态；
- C.内部老化不通；
- D.无法判断。
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5、[单选题]PN结两端加正向电压时，其正向电流是（）而成。
- A.多子扩散；
- B.少子扩散；
- C.少子漂移；
- D.多子漂移。
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6、[单选题]测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为V E＝2.1V，V B＝2.8V，V C＝4.4V，说明此三极管处在（）。
- A.放大区；
- B.饱和区；
- C.截止区；
- D.反向击穿区。
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7、[单选题]绝缘栅型场效应管的输入电流（）。
- A.较大；
- B.较小；
- C.为零；
- D.无法判断。
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8、[单选题]正弦电流经过二极管整流后的波形为（）。
- A.矩形方波；
- B.等腰三角波；
- C.正弦半波；
- D.仍为正弦波。
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9、[单选题]三极管超过（）所示极限参数时，必定被损坏。
- A.集电极最大允许电流I CM；
- B.集—射极间反向击穿电压U（BR）CEO；
- C.集电极最大允许耗散功率P CM；
- D.管子的电流放大倍数。
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10、[单选题]若使三极管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是（）
- A.发射结正偏、集电结正偏；
- B.发射结反偏、集电结反偏；
- C.发射结正偏、集电结反偏；
- D.发射结反偏、集电结正偏。
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11、[单选题]基本放大电路中，经过晶体管的信号有（）。
- A.直流成分；
- B.交流成分；
- C.交直流成分均有。
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12、[单选题]基本放大电路中的主要放大对象是（）。
- A.直流信号；
- B.交流信号；
- C.交直流信号均有。
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13、[单选题]分压式偏置的共发射极放大电路中，若V B点电位过高，电路易出现（）。
- A.截止失真；
- B.饱和失真；
- C.晶体管被烧损。
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14、[单选题]共发射极放大电路的反馈元件是（）。
- A.电阻R B；
- B.电阻R E；
- C.电阻R C。
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15、[单选题]功放首先考虑的问题是（）。
- A.管子的工作效率；
- B.不失真问题；
- C.管子的极限参数。
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16、[单选题]电压放大电路首先需要考虑的技术指标是（）。
- A.放大电路的电压增益；
- B.不失真问题；
- C.管子的工作效率。
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17、[单选题]射极输出器的输出电阻小，说明该电路的（）
- A.带负载能力强；
- B.带负载能力差；
- C.减轻前级或信号源负荷。
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