自考12125材料科学基础模拟试题1

试题数量：53道
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试卷简介

该试卷共包含53道试题，试题类型如下:

单选题

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该试卷部分试题预览

1、[单选题]极化会对晶体结构产生显著影响，可使键性由（）过渡，最终使晶体结构类型发生变化。
- A.共价键向离子键
- B.离子键向共价键
- C.金属键向共价键
- D.键金属向离子键
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2、[单选题]离子晶体中，由于离子的极化作用，通常使正负离子间的距离（），离子配位数（）。
- A.增大，降低
- B.减小，降低
- C.减小，增大
- D.增大，增大
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3、[单选题]氯化钠具有面心立方结构，其晶胞分子数是
- A.5
- B.6
- C.4
- D.3
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4、[单选题]NaCl单位晶胞中的“分子数”为4，Na+填充在Cl-所构成的（）空隙中。
- A.全部四面体
- B.全部八面体
- C.1/2四面体
- D.1/2八面体
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5、[单选题]MgO晶体属NaCl型结构，由一套Mg的面心立方格子和一套O的面心立方格子组成，其一个单位晶胞中有（）个MgO分子。
- A.2
- B.4
- C.6
- D.8
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6、[单选题]萤石晶体可以看作是Ca2+作面心立方堆积，F-填充了
- A.八面体空隙的半数
- B.四面体空隙的半数
- C.全部八面体空隙
- D.全部四面体空隙
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7、[单选题]萤石晶体中Ca2+的配位数为8，F-配位数为
- A.2
- B.4
- C.6
- D.8
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8、[单选题]CsCl晶体中Cs+的配位数为8，Cl-的配位数为
- A.2
- B.4
- C.6
- D.8
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9、[单选题]硅酸盐晶体的分类原则是
- A.正负离子的个数
- B.结构中的硅氧比
- C.化学组成
- D.离子半径
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10、[单选题]锆英石Zr[SiO4]是
- A.岛状结构
- B.层状结构
- C.链状结构
- D.架状结构
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11、[单选题]硅酸盐晶体中常有少量Si4+被Al3+取代，这种现象称为
- A.同质多晶
- B.有序—无序转变
- C.同晶置换
- D.马氏体转变
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12、[单选题]镁橄榄石Mg2[SiO4]是
- A.岛状结构
- B.层状结构
- C.链状结构
- D.架状结构
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13、[单选题]对沸石、萤石、MgO三类晶体具有的空隙体积相比较，其由大到小的顺序为
- A.沸石>萤石>MgO
- B.沸石>MgO>萤石
- C.萤石>沸石>MgO
- D.萤石>MgO>沸石
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14、[单选题]根据鲍林(Pauling)规则，离子晶体MX2中二价阳离子的配位数为8时，一价阴离子的配位数为
- A.2
- B.4
- C.6
- D.8
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15、[单选题]构成硅酸盐晶体的基本结构单元[SiO4]四面体，两个相邻的[SiO4]四面体之间只能（）连接。
- A.共顶
- B.共面
- C.共棱
- D.A+B+C
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16、[单选题]点缺陷与材料的电学性质、光学性质、材料的高温动力学过程等有关，以下点缺陷中属于本征缺陷的是
- A.弗仑克尔缺陷
- B.肖特基缺陷
- C.杂质缺陷
- D.A+B
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17、[单选题]位错的（）是指在热缺陷的作用下，位错在垂直滑移方向的运动，结果导致空位或间隙原子的增值或减少。
- A.攀移
- B.攀移
- C.增值
- D.减少
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18、[单选题]对于形成杂质缺陷而言，低价正离子占据高价正离子位置时，该位置带有负电荷，为了保持电中性，会产生
- A.负离子空位
- B.间隙正离子
- C.间隙负离子
- D.A或B
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