2022年4月自考11635嵌入式电工技术基础模拟试题及答案1

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注：不同省份、不同专业的自考模拟试题及答案，只要课程代码和课程名称相同，都可参考使用。

2022年4月自考11635嵌入式电工技术基础模拟试题及答案1

1、关于ARM处理器的工作模式，以下说法错误的是（）。

A.用户模式是程序正常执行的模式

B.快速中断模式处理高速中断，用于高速数据传输或通道处理

C.管理模式用于操作系统的保护模式，处理软中断

D.系统模式用于处理未定义的指令陷阱

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2、指令“LDMIA R0!,{R1,R2,R3,R4}的”寻址方式为（）。

A.立即寻址

B.寄存器间接寻址

C.多寄存器寻址

D.堆栈寻址

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3、下列有关Flash存储器的描述，不正确的是（）。

A.Flash存储器属于非易失的存储器

B.Flash存储器的读操作与SRAM存储器的读操作基本相同

C.Flash存储器的写操作与SDRAM存储器的写操作基本相同

D.Flash存储器在写入信息前必须首先擦除原有信息

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4、【简答题】谈一谈嵌入式系统的发展趋势。

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5、【简答题】什么是标准CMOS电平？有何特点。

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6、在万用表的读数线上，标有DC直流的代表，标有AC的代表（）。

A.交流

B.交直流

C.直流

D.没有意义

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7、互感线圈的同名端的作用是____________________。

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8、利用导体在磁场中作切割磁力线运动产生电压的方法称为（）。

A.磁电效应

B.光电效应

C.热电效应

D.压电效应

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9、极化继电器工作时，它的工作气隙同时有两个独立的磁通，它们是：()

A.工作磁通和漏磁通

B.主磁通和漏磁通

C.工作磁通和极化磁通

D.极化磁通和漏磁通

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10、三相异步电动机的同步转速与电源电压有关，而与电源频率无关。

A.正确

B.错误

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11、三相电动势达到最大值的先后次序叫相序

A.正确

B.错误

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12、变压器二次侧不带负荷，一次侧与电网（）的调压称为无励磁调压

A.并联时

B.接通时

C.断开时

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13、电容器三相间的容量应平衡，其误差不应超过一相总容量的（）

A.2 0/0

B. 5 0/0

C. 10 0/0

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14、遮拦应采用干燥的绝缘材料制成，不能用金属材料制作。

A.正确

B.错误

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15、磁感应强度B是表示磁场内某点磁场强弱和方向的物理量。磁感应强度B的方向与电流的方向之间符合______定则。

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