自考高电压技术02653复习资料（2）

以下为“自考高电压技术02653复习资料（2）”由自考生网为考生们整理、提供。更多高电压技术02653复习资料可查看“自考高电压技术02653复习资料”栏目。

点击查看：自考高电压技术02653历年真题》》》

•激励：电子从近轨道向远轨道跃迁时，需要一定能量，这个过程叫激励.

•电离：当外界给予的能量很大时，电子可以跳出原子轨道成为自由电子。原来的中性原子变成一个自由电子和一个带正电荷的离子，这个过程叫电离.

•反激励：电子从远轨道向近轨道跃迁时,原子发射单色光的过程称为反激励。

•平均自由程：一个质点两次碰撞之间的平均距离，其与密度呈反比。

•电离形式：撞击电离，光电离，热电离,表面电离.

•气体带电质点的消失：中和（发生在电极处）：带电质点在电场力的作用下，宏观上沿电场做定向运动。带电质点受电场力作用而流入电极,中和电量。/扩散：扩散指质点从浓度较大的区域扩散到浓度较小的的区域，从而使带电质点在空间各处浓度趋于平均的过程./复合（发生在内部）:带有异号电荷质点相遇，还原为中性质点的过程称为复合。

•电子崩：当外加电场强度足够大时，带电粒子两次碰撞间积聚的动能足够发生碰撞电离.电离出来的电子和离子在场强作用下又加入新的撞击电离,电离过程像雪崩一样增长起来，称为电子崩。

•自持放电：当外加场强足够强大时，电子崩不依赖外界因素，外界因素消失后，电子崩仍能够保持.

•放电形式：辉光放电，电晕放电，刷状放电，火花击穿，电弧击穿。

•汤森德气体放电理论的三个影响因素：系数α：1个自由电子在走到阳极的1cm路程中撞击电离产生的平均自由电子./系数β：1个正离子在走到阴极的1cm路程中撞击电离产生的平均自由电子./系数γ:1个正离子撞击阴极表面，逸出的平均自由电子数.

•流注：由初崩辐射出的光子，在崩头、崩尾外围空间局部强场中衍生出二次电子崩并汇合到主崩通道中来，使主崩通道不断高速向前、后延伸的过程称为流注。

•流注的形成：电子崩头部接近阳极；崩头和崩尾处电场增强，激励和反激励放射出大量光子，崩中复合也放射出光子;一些光子射到崩尾，造成空间光电离，形成衍生电子崩；衍生电子崩头部移动速度快，与主崩汇合；新的衍生电子崩在崩尾出现，一个一个向阴极发展,形成正流注.

•电晕：在极不均匀的电场中，当外加电压及平均场强还较低时,电极曲率半径较小处，附近空间的局部场强已很大。在这局部场强处，产生强烈的电离,伴随着电离而存在复合和反激励，辐射出大量光子，使在黑暗中可以看到在该电极附近空间有蓝色的晕光，称为电晕。

以上就是“自考高电压技术02653复习资料（2）”的全部内容。