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2021年4月自考02273电子技术基础(二)真题及答案

来源:自考生网 时间:2021-06-21 16:27:22 编辑:sun

自考02273电子技术基础(二)考试资料:

自考生网为考生们整理提供了“2021年4月自考02273电子技术基础(二)真题及答案”,更多02273电子技术基础(二)历年真题可点击查看自考02273电子技术基础(二)试卷及答案汇总。

注:不同省份、不同专业的自考历年真题及答案,只要课程代码和课程名称相同,都可参考使用。

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2021年4月自考02273电子技术基础(二)真题及答案

2021年4月高等教育自学考试全国统一考试

电子技术基础(二)

(课程代码02273 )

注意事项:

1.本试卷分为两部分,第一部分为选择题,第二部分为非选择题。

2.应考者必须按试题顺序在答题卡(纸) 指定位置.上作答,答在试卷上无效。

3.涂写部分、画图部分必须使用2B铅笔,书写部分必须使用黑色字迹签字笔。

一、单项选择题:本大题共20小题,每小题1分,共20分。在每小题列出的备选项中只有一项是最符合题目要求的,请将其选出。

1. N型半导体导电主要是依靠.

A.电子

B.空穴

C.三价硼元素

D.五价锑元素

2.阻容耦合放大电路的特点是

A.工作点互相独立

B.便于集成

C.存在零点漂移

D.能放大变化缓慢的信号

3.下 列说法中正确的是

A.为了改善放大电路的性能,电路只能引入负反馈

B.放大电路中引入的负反馈越强,电路的放大倍数越稳定

C.引入直流负反馈不会影响放大电路的动态指标

D.只要电路中引入正反馈,电路就一定会产生自激振荡

4.测得某电路中三极管各极(分别标号为1,2, 3)电位分别是7V、2V、2.7V, 则该管为

A. NPN硅管。1-c, 2-e, 3-b

B. PNP锗管。l-e, 2-b,3-c

C. NPN锗管。1-b, 2-c, 3-e

D. PNP硅管。1-e, 2-c,3-b

 

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