A.3V
B.-3V
C.9:7V
D.11.7V
A.VC>VB>VE
B.VE>VB>VC
C.VC>VE>VB
D.VB>VE>VC
A.基极电流IB增大
B.电压放大倍数的绝对值|Au |减小
C.输入电阻R1增大
D.输出电阻R。增大
A.N沟道耗尽型MOS管
B.P沟道耗尽型MOS管
C.N沟道增强型MOS管
D.P沟道增强型MOS管
A.20dB
B.40dB
C.60Db
D.80dB
A.电压放大倍数很高
B.输出电压与输入电压相位相反
C.没有电流放大作用
D.又称为射极跟随器
A.前者的抗干扰能力强
B.后者的抗干扰能力强
C.前者有两个阈值电压
D.后者有一个阈值电压
A.放大倍数提高
B.放大倍数降低
C.展宽通频带
D.减小非线性失真
A.截止区
B.饱和区
C.放大区
D.击穿区
A.200mA
B.240mA
C.l80mA
D.90mA
A.与非门
B.或非门
C.与门
D.异或门
A.接高电平
B.悬空
C.接低电平
D.接地
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