2014年4月自考02234电子技术基础(一)真题试卷及答案

试题数量：32道
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试卷简介

该试卷共包含32道试题，试题类型如下:

单选题填空题主观题

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该试卷部分试题预览

1、[单选题]下列关于P型半导体中载流子的描述，正确的是
- A.仅自由电子是载流子
- B.仅空穴是载流子
- C.自由电子和空穴都是载流子
- D.杂质离子也是载流子
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2、[单选题]工作于放大区的某三极管，当IB从20A增大到40A时，IC从1mA变成2mA，则其交流电流放大系数约为
- A.50
- B.100
- C.150
- D.200
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3、[单选题]在放大电路中，当f=fL时，电压放大倍数Au是中频时电压放大倍数Aum的
- A.
- B.1倍
- C.0.9倍
- D.
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4、[单选题]场效应管与三极管相比较，其特点为
- A.热稳定性差
- B.输入电阻小
- C.为电流控制器件
- D.制造工艺简单
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5、[单选题]共发射极放大电路与共集电极放大电路相比较，其特点为
x
- A.输入电阻高
- B.输出电阻低
- C.电压放大倍数较低
- D.既有电压放大作用又有电流放大作用
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6、[单选题]差分放大电路能够
- A.放大差模信号，抑制共模信号
- B.放大差模信号，放大共模信号
- C.抑制差模信号，放大共模信号
- D.抑制差模信号，抑制共模信号
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7、[单选题]希望放大电路具有较高的输入电阻和稳定的输出电压，在放大电路中应引入交流
- A.串联电压负反馈
- B.并联电压负反馈
- C.串联电流负反馈
- D.并联电流负反馈
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8、[单选题]RC桥式正弦波振荡电路如题8图所示，起振时RF和R1应满足的关系是
- A.RF>2R1
- B.RF=2R1
- C.RF<2R1
- D.RF=R1
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9、[单选题]某电压比较器的电压传输特性曲线如题9图所示，则该电压比较器的阈值电压UTH为
- A.6V
- B.-6V
- C.3V
- D.无法确定
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10、[单选题]某单相桥式整流电路的变压器二次侧电压为，则每个整流管所承受的最大反向电压为
- A.
- B.
- C.20V
- D.
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11、[单选题]下列逻辑式正确的是
- A.
- B.
- C.
- D.
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12、[单选题]组合逻辑电路如题12图所示，该电路的输出F为
- A.F=l
- B.F=0
- C.F=AB
- D.
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13、[单选题]十进制数38用8421BCD码表示为
- A.01000101
- B.01010001
- C.10000011
- D.00111000
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14、[单选题]集成双向移位寄存器74HC194应用电路如题14图所示，设该电路的初态为Q0Q1Q2Q3=0001，则经过3个CP后，电路的状态为Q0Q1Q2Q3=
- A.1000
- B.0100
- C.0010
- D.0001
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15、[单选题]对于由555构成的多谐振荡器，以下说法正确的是
- A.该电路有1个稳定状态
- B.该电路有2个稳定状态
- C.改变外接元件的参数可以改变输出脉冲的频率
- D.改变电源电压可以改变输出脉冲的频率
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16、[填空题]在本征半导体中掺入少量的________价元素可形成N型半导体。

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17、[填空题]PN结加正向电压导通，反向电压截止，称为PN结的________性。

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18、[填空题]构成减法运算电路的集成运放工作在________区。

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