A.P型半导体,其少子为自由电子
B.N型半导体,其多子为自由电子
C.P型半导体,其少子为空穴
D.N型半导体,其多子为空穴
A.3V
B.10V
C.-3V
D.-10V
A.基区很薄
B.基区掺杂浓度最高
C.发射区掺杂浓度最高
D.发射结的结面积小于集电结的结面积
A.锗管①为b极
B.硅管③为c极
C.锗管②为e极
D.硅管③为b极
A.N沟道增强型
B.N沟道耗尽型
C.P沟道增强型
D.P沟道耗尽型
A.输入电阻很大
B.输出电阻很小
C.电压放大倍数近似等于l
D.输出电压与输入电压相位相反
A.电流并联负反馈
B.电流串联负反馈
C.电压并联负反馈
D.电压串联负反馈
A.RC
B.2πRC
C.
D.
A.1A
B.0.5A
C.0.75A
D.2A
A.12V
B.6V
C.14V
D.0V
A.
B.
C.
D.
A.1
B.0
C.Qn
D.不定
A.1001
B.0011
C.0110
D.1100
A.(1011001)2
B.(1011101)2
C.(1011011)2
D.(1101011)2
A.
B.
C.UCC
D.0
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