自考02286电力电子技术模拟试题1

试题数量：50道
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试卷简介

该试卷共包含50道试题，试题类型如下:

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该试卷部分试题预览

1、[单选题]下列器件中，（）最适合用在小功率，高开关频率的变换器中。
- A.GTR
- B.IGBT
- C.MOSFET
- D.GTO
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2、[单选题]电流型逆变电路特点有（）
- A.直流侧接大电感
- B.交流侧电流接正弦波
- C.直流侧电压无脉动
- D.直流侧电流有脉动
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3、[多选题]开关管的驱动电路采用的隔离技术有（）
- A.磁隔离
- B.电容隔离
- C.电感隔离
- D.光耦隔离
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4、[多选题]电压型逆变电路特点有（）
- A.直流侧接大电感
- B.交流侧电流接正弦波
- C.直流侧电压无脉动
- D.直流侧电流有脉动
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5、[判断题]“电力电子技术”的特点之一是以小信息输入驱动控制大功率输出。

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6、[判断题]某晶闸管，若其断态重复峰值电压为500V，反向重复峰值电压为700V，则该晶闸管的额定电压是700V。

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7、[判断题]晶闸管导通后，流过晶闸管的电流大小由管子本身电特性决定。

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8、[判断题]尖脉冲、矩形脉冲、强触发脉冲等都可以作为晶闸管的门极控制信号。

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9、[判断题]在晶闸管的电流上升至其维护电流后，去掉门极触发信号，晶闸管级能维护导通。

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10、[判断题]在GTR的驱动电路设计中，为了使GTR快速导通，应尽可能使其基极极驱动电流大些。

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11、[判断题]达林顿复合管和电力晶体管属电流驱动型开关管；而电力场效应晶体管和绝缘栅极双极型晶体管则属电压驱动型开关管。

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12、[判断题]IGBT相比MOSFE，T其通态电阻较大，因而导通损耗也较大。

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13、[判断题]整流二级管、晶闸管、双向晶闸管及可关断晶闸管均属半控型器件。

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14、[判断题]导致开关管损坏的原因可能有过流、过压、过热或驱动电路故障等。

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15、[判断题]对于输入接整流变压器的可控整流电路，变压器存在直流磁化的有三相半波整流电路、单相半波整流电路和单相双半波整流电路。

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16、[判断题]对于单相桥式全控整流电路，晶闸管VT1无论是烧成短路还是断路，电路都可作单相半波整流电路工作。

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17、[判断题]单相桥式电路，反电动势负载，已知β=60°U2=100V，E=50V，则电路处于待逆变状态

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18、[判断题]在有源逆变电路中，当某一晶闸管发生故障，失去开通能力，则会导致逆变失败。

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