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A.V1与V4导通,V2与V3关断
B.V1常通,V2常断,V3与V4交替通断
C.V1与V4关断,V2与V3导通
D.V1常断,V2常通,V3与V4交替通断
A.晶闸管的触发角大于电路的功率因素角时,晶闸管的导通角小于180度
B.晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时,必须加宽脉冲或脉冲列触发,电路才能正常工作
C.晶闸管的触发角小于电路的功率因素角正常工作并达到稳态时,晶闸管的导通角为180度
D.晶闸管的触发角等于电路的功率因素角时,晶闸管的导通角不为180度

A.1个
B.2个
C.3个
D.4个

A.P组阻断,N组整流
B.P组阻断,N组逆变
C.N组阻断,P组整流
D.N组阻断,P组逆变
A.30°~150
B.0°~120°
C.15°~125°
D.0°~150°
A.加快功率晶体管的开通
B.延缓功率晶体管的关断
C.加深功率晶体管的饱和深度
D.保护器件
A.AC/AC
B.DC/AC
C.DC/DC
D.AC/DC
A.du/dt抑制电路
B.抗饱和电路
C.di/dt抑制电路
D.吸收电路
A.减小至维持电流以下
B.减小至擎住电流以下
C.减小至门极触发电流以下
D.减小至5A以下
A.GTR驱动的MOSFET
B.MOSFET驱动的GTR
C.MOSFET驱动的晶闸管
D.MOSFET驱动的GTO
A.三相半波可控整流电路
B.三相桥式全控整流电路
C.单相桥式可控整流电路
D.单相全波可控整流电路外接续流二极管
A.晶闸管阳极电流大于晶闸管的擎住电流
B.晶闸管阳极电流小于晶闸管的擎住电流
C.晶闸管阳极电流大于晶闸管的维持电流
D.晶闸管阳极电流小于晶闸管的维持电流
A.交流相电压的过零点
B.本相相电压与相邻相电压正半周的交点处
C.比三相不控整流电路的自然换相点超前30°
D.比三相不控整流电路的自然换相点滞后60°
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