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  • [主观题] 【简单分析设计题】请用64KB位的SRAM芯片构成64KB的存储体,设WE为CPU发出的读/写命令信号(高电平读,低电平写),D7--D4、D3--D0为数据总线信号,M/I0为访存存控制信号(低电平访问存储器)。
    (1)指出该设计采用的存储器扩展方式;
    (2)题37图为该存储器的电路图,请在答题卡上写出序号①~④相对应的相关信号以将其完善。
    【原题截图】

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